Comparison of Trimethylgallium and Triethylgallium as Ga Source Materials for the Growth of Ultra thin GaN Films via Hollow cathode Plasma assisted ALD
American Vacuum Society, Portland, Amerika Birleşik Devletleri, 28 Haziran - 01 Temmuz 2015, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Portland
- Basıldığı Ülke: Amerika Birleşik Devletleri
- Marmara Üniversitesi Adresli: Evet