Critical Layer Thickness of GaN Thin Films on sapphire grown by hollow-cathode plasma assisted tomic layer deposition
European Materials Research Society Spring 2018, Fransa, 18 - 22 Haziran 2018, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Ülke: Fransa
- Marmara Üniversitesi Adresli: Evet