Sol-Jel metoduyla hazırlanan metaloksit filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Marmara Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2006
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: DİLEK TAŞKIN
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Ahmet Altındal
Eş Danışman: Fatih Dumludağ
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:ÖZETSOL-GEL METODUYLA HAZIRLANAN METAL-OKS TF LMLER N YAPISAL VE ELEKTR KSELKARAKTER ZASYONUMetal-oksit malzemeler arasında geni bir bant aralı ına sahip olan titanyumdioksit (TiO2), yüksek dielektrik sabiti, büyük kırılma indisi, görünür bölgedekiyüksek geçirgenli i gibi optik ve elektriksel özelliklerinden dolayı son yıllardaüzerinde en çok çalı ılan, n-tipi oksit yarı iletken malzemelerden biridir. Yapılan buçalı malar bilgi depolamadan, gaz sensörlerine, fotovoltaik elemanlardan su vehavanın temizlenmesinde kullanılan fotokatalizörlere, dalga kılavuzlarından günepillerine, kozmetikten boya maddelerine ve optoelektronik devre elemanlarınınyapımına kadar oldukça geni bir uygulama alanını kapsamaktadır.Yapılan bu çalı mada, sol-gel metoduyla hazırlanan katkısız ve katkılı TiO2ince filmlerinin yapısal ve elektriksel (do ru akım ve alternatif akım) özellikleri 303-468 K sıcaklık aralı ında incelenmi tir. Filmler nter Dijital Transduser (IDT)üzerine, ba langıç maddesi olarak titanyum n-butoksit Ti(O(CH2)3 CH3 )4 kullanılaraksol-gel daldırma metoduyla kaplanmı tır. Filmlerin kristal yapı analizi X-I ınıKırınımı cihazı (XRD) kullanılarak incelenmi tir. Filmlerin do ru akım iletkenliközellikleri, ±1 V voltaj aralı ında 50 mV'luk artı larla ve geni bir sıcaklıkaralı ında (katkısız film için 298-652 K, katkılı filmler için 303-468 K), 3x10-3 mbarvakum ortamında, karanlıkta ölçülmü tür. Filmlerin alternatif akım iletkenli i deaynı ko ullarda 40 Hz ile 100 kHz aralı ında gerçekle tirilmi tir.Çalı madan elde edilen sonuçlara göre, filmlerin do ru ve alternatif akımiletkenliklerinin katkılama oranlarına ba lı olarak de i ti i gözlenmi tir. Bütünfilmlerin I-V karakteristiklerinde dü ük sıcaklılarda histerezis etki gözlenmi tir.Daldırma metodu ile hazırlanan katkısız TiO2 ince filminin do ru akım iletimImekanizmasının de i ken erimli hoplama modeline uydu u görülmü tür. KatkılıTiO2 ince filmlerinin de do ru akım iletim mekanizması, bant modeline uymu tur.Filmlerin a.c. iletim mekanizması ise CBH modeli ile açıklanmı tır.Temmuz, 2006 Dilek TA KINII