Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Marmara Üniversitesi, Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2005
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SELİM ÖKMEN
Danışman: ŞAHİN AKTAŞ
Özet:KATILARDA İYON İLETİMİNİN BOŞLUK - İYON YER DEĞİŞTİRME METODU İLE İKİ BOYUTLU SİSTEMLERDE SAYISAL SİMİLASYONU Katılarda ki iyon iletim mekanizmasını, iki boyutlu sistemimize uyarlayarak; iyon iletimi sonucunda gerçekleşen hal değişimi olayı Monte Carlo metodu kullanılarak bilgisayar simülasyonu olarak gerçekleştirildi. Bu simülasyon, boşlukların iyonlarla yer değiştirmesi neticesinde sistem içersinde belirli bir hareketin sağlanması ve bu hareket sonucunda da sistemde bir hal geçişi olayı gerçekleştirmek amacıyla yapılmıştır. Sistemde gözlenen hal geçişi olayına nelerin etki ettiği, bu etkilerin nasıl olduğu simülasyonla gözlemlenmiştir. Sistemimizde hal geçişine sıcaklığın, dış elektrik alanının, boşluğun etkileri sayısal olarak incelenmiş ve yorumlanmıştır. Bu incelemeler sonucunda sistemin belirli bir kritik sıcaklık, kritik elektrik alan ve kritik boşluk yüzdesi tespit edilmiştir. Bu kritik değerlerin hal geçişine yaptığı etkiler araştırılmıştır. Bu incelemeler sonucun da sistemde hal geçişinin düşük sıcaklık değerinde olduğu görülmüştür. Hal geçişine sistem içinde yer alan boşluk yüzdelerin belirgin etki yaptığı gözlemlenmiştir. Uygulanan dış elektrik alanının değeri ve yönü sistem içindeki iyonların hangi tarafta daha fazla yoğunlaşmasına belirgin şekilde etki ettiği, simülasyon neticesinde görülmüştür. Kasım, 2004 Selim ÖKMEN ABSTRACT THE NUMERIC SIMULATION OF ION TRANSPORT IN SOLIDS AT TWO DIMENSIONED SYSTEMS WITH THE HOLE - ION RECHANGING METHOD By adapting the mechanism of ion transport of solids to our two dimensioned system, the computer simulation of condition changing event which had been a result of ion transport, could be made real with Monte Carlo Method. This simulation was done in order to supply a certain movement in system as a result of hole - ion exchange ; and also to this movement to supply a transition condition in the system and how these effects occured were all seen by the simulation. The effects of heat, applied electric field and hole concentration in our system were investigated and interpreted. The phase transition of system was seen to ocur at a critical temperature. It was observed that the percentage of hole in the system had a clear effect on transition condition. A certain velationship between the critical temperature and the magnitude of the applied field has been determined as Tc = exp (E1/2) December, 2004 Selim ÖKMEN